РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом [1]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Тип транзистора
Технология
Усиление
Полярность транзистора
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Vds - напряжение пробоя затвор-исток
Id - непрерывный ток утечки
Выходная мощность
Максимальное напряжение сток-затвор
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Pd - рассеивание мощности
Вид монтажа
Упаковка / блок
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
2N3819 Central Semiconductor
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом N-CH -25V 10mA BULK Engineering Hold
2N5952 Central Semiconductor РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NPN RF Amp Engineering Hold
2SK3557-6-TB-E ON Semiconductor
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
A2G22S160-01SR3 NXP / Freescale РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 V
A2G26H280-04SR3 NXP / Freescale РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
BF510,215 NXP Semiconductors
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом TAPE7 FET-RFSS
BF513,215 NXP Semiconductors
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом TAPE7 FET-RFSS
BF861B,215 NXP Semiconductors
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом JFET N-CH 25V 10MA
BF861B,235 NXP Semiconductors
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом N-Channel Single '+/- 25V 15mA
BF861C,215 NXP Semiconductors
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом JFET N-CH 25V 10mA
BFR31,235 NXP Semiconductors РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом N-Channel Single '+/- 25V 5mA
CE3512K2 CEL
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
CE3512K2-C1 CEL
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
CE3514M4 CEL
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
CE3520K3 CEL РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CE3520K3-C1 CEL РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CE3521M4 CEL
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CG2H30070F Wolfspeed / Cree РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.0GHz, 60 Watt
CG2H30070F-TB2 Wolfspeed / Cree
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Test Board without GaN HEMT
CG2H40010F Wolfspeed / Cree
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
CG2H40025F Wolfspeed / Cree
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
CG2H40045F Wolfspeed / Cree
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
CG2H40120F Wolfspeed / Cree РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W
CG2H80015D-GP4 Wolfspeed / Cree
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt