NE5517DR2G - ON Semiconductor
Поставка электронных компонентов
NE5517DR2G
ON Semiconductor
Технические характеристики
  • Серия NE5517
  • Количество каналов 2 Channel
  • GBP - Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропус2 MHz
  • SR - скорость нарастания выходного напряжения 50 V/us
  • Выходной ток на канал 650 uA
  • Ib - Входной ток смещения 5 uA
  • Vos - Входное напряжение смещения нуля 5 mV
  • Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 5400 uS
  • Напряжение питания - макс. 44 V
  • Напряжение питания - мин. 4 V
  • Рабочий ток источника питания 2.6 mA
  • Минимальная рабочая температура 0 C
  • Максимальная рабочая температура + 70 C
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOIC-16
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel