JAN1N6153US - Microchip / Microsemi
Поставка электронных компонентов
JAN1N6153US
Microchip / Microsemi
Технические характеристики
  • Серия -
  • Тип продукта TVS Diodes
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте -
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазо-
  • Полярность Bidirectional
  • Количество каналов 1 Channel
  • Тип выводов SMD/SMT
  • Напряжение пробоя 28.5 V
  • Рабочее напряжение 22.8 V
  • Напряжение фиксации 41.6 V
  • Iпи - пиковый импульсный ток 36 A
  • Cd - емкость диода -
  • Упаковка / блок C-Package-2 (MELF)
  • Pppm - пиковое рассеивание мощности -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Foil Bag
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться