JANTX1N6172US
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Серия -
- Тип продукта TVS Diodes
- Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте -
- Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазо-
- Полярность Bidirectional
- Количество каналов 1 Channel
- Тип выводов SMD/SMT
- Напряжение пробоя 162.45 V
- Рабочее напряжение 136.8 V
- Напряжение фиксации 257.98 V
- Iпи - пиковый импульсный ток 5.79 A
- Cd - емкость диода -
- Упаковка / блок C-Package-2 (MELF)
- Pppm - пиковое рассеивание мощности 1.5 kW
- Pd - рассеивание мощности 3 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk