CTLTVS12 TR - Central Semiconductor
Поставка электронных компонентов
CTLTVS12 TR
Central Semiconductor
Технические характеристики
  • Серия CTLTVS12
  • Тип продукта TVS Diodes
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте 30 kV
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазо30 kV
  • Полярность Unidirectional
  • Количество каналов 1 Channel
  • Тип выводов SMD/SMT
  • Напряжение пробоя 10 V
  • Рабочее напряжение 9 V
  • Напряжение фиксации 18 V
  • Iпи - пиковый импульсный ток 1.8 A
  • Cd - емкость диода 14 pF
  • Упаковка / блок DFN-0603-2
  • Pppm - пиковое рассеивание мощности 35 W
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться