CTLTVS6V2 TR - Central Semiconductor
Поставка электронных компонентов
CTLTVS6V2 TR
Central Semiconductor
Технические характеристики
  • Серия CTLTVS6V2
  • Тип продукта TVS Diodes
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте 8 kV
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазо15 kV
  • Полярность Unidirectional
  • Количество каналов 1 Channel
  • Тип выводов SMD/SMT
  • Напряжение пробоя 5.8 V
  • Рабочее напряжение 4 V
  • Напряжение фиксации 10.7 V
  • Iпи - пиковый импульсный ток 3 A
  • Cd - емкость диода 25 pF
  • Упаковка / блок DFN-0603-2
  • Pppm - пиковое рассеивание мощности 35 W
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Reel
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться