1N6463US/TR - Microchip / Microsemi
Поставка электронных компонентов
1N6463US/TR
Microchip / Microsemi
Технические характеристики
  • Серия -
  • Тип продукта TVS Diodes
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте -
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазо-
  • Полярность Unidirectional
  • Количество каналов -
  • Тип выводов SMD/SMT
  • Напряжение пробоя 13.6 V
  • Рабочее напряжение 12 V
  • Напряжение фиксации 22.6 V
  • Iпи - пиковый импульсный ток 125 A
  • Cd - емкость диода -
  • Упаковка / блок B-SQ-MELF-2
  • Pppm - пиковое рассеивание мощности 500 W
  • Pd - рассеивание мощности 2.5 W
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Reel
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться