PTZTE2530B
ROHM Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 19.15 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOD-106-2
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Допустимое отклонение напряжения 6 %
- Температурный коэффициент напряжения 27.5 mV/deg C
- Зенеровский ток -
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 12 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 20 mA
- Квалификация -
- Упаковка Reel
- Серия PTZ30B