PTZTE2511A
ROHM Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 11 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок -
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Допустимое отклонение напряжения -
- Температурный коэффициент напряжения 7.9 mV/C
- Зенеровский ток 20 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 8 Ohms
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний -
- Квалификация -
- Упаковка Reel
- Серия PTZ11A
