PTZTE258.2A
ROHM Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 8.7 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок -
- Pd - рассеивание мощности 1 W
- Допустимое отклонение напряжения -
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 40 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 4 Ohms
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний -
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
- Серия PTZ8.2A