PTZTE253.6A - ROHM Semiconductor
Поставка электронных компонентов
PTZTE253.6A
ROHM Semiconductor
Технические характеристики
  • Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 3.6 V
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOD-106-2
  • Pd - рассеивание мощности 1 W
  • Допустимое отклонение напряжения -
  • Температурный коэффициент напряжения - 2.8 mV/C
  • Зенеровский ток 40 mA
  • Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 15 Ohms
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Конфигурация Single
  • Ток испытаний -
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
  • Серия PTZ3.6A
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться