1N4733Ce3/TR13 - Microchip / Microsemi
Поставка электронных компонентов
1N4733Ce3/TR13
Microchip / Microsemi
Технические характеристики
  • Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 5.1 V
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок DO-41-2
  • Pd - рассеивание мощности 1 W
  • Допустимое отклонение напряжения 2 %
  • Температурный коэффициент напряжения -
  • Зенеровский ток 10 uA
  • Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 7 Ohms
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Конфигурация Single
  • Ток испытаний 49 mA
  • Квалификация -
  • Упаковка Reel
  • Серия -
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться