UMZ16NT106 - ROHM Semiconductor
Поставка электронных компонентов
UMZ16NT106
ROHM Semiconductor
Технические характеристики
  • Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 16.18 V
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-323-3
  • Pd - рассеивание мощности 200 mW
  • Допустимое отклонение напряжения 2 %
  • Температурный коэффициент напряжения -
  • Зенеровский ток -
  • Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 50 Ohms
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Конфигурация Dual Common Anode
  • Ток испытаний 5 mA
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
  • Серия UMZ16N
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться