SMZG3788BHE3/5B
Vishay Semiconductors
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 9.1 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DO-215AA-2
- Pd - рассеивание мощности 1500 mW
- Допустимое отклонение напряжения 10 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 140 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 4 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 41.2 mA
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Cut Tape, Reel
- Серия SMZG3_B