TFZGTR8.2B
ROHM Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 8.1 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок -
- Pd - рассеивание мощности 500 mW
- Допустимое отклонение напряжения 3 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 20 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 8 Ohms
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний -
- Квалификация -
- Упаковка Reel
- Серия TFZ8.2B