STZ6.2NT146
ROHM Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 6.105 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SC-59-3
- Pd - рассеивание мощности 200 mW
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 1 uA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 60 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Dual Common Anode
- Ток испытаний 5 mA
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
- Серия STZ6.2N