1N5260B TR
Central Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 43 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-35
- Pd - рассеивание мощности 500 mW
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения 0.095 %/C
- Зенеровский ток 100 nA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 93 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний -
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, Reel
- Серия 1N5260