FTZ5.6ET148
ROHM Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 5.615 V
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-25-5
- Pd - рассеивание мощности 200 mW
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток -
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 60 Ohms
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Quad Common Anode
- Ток испытаний 5 mA
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
- Серия FTZ5.6E