SZBZX84C4V7ET1G - ON Semiconductor
Поставка электронных компонентов
SZBZX84C4V7ET1G
ON Semiconductor
Технические характеристики
  • Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 4.7 V
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-23-3
  • Pd - рассеивание мощности 225 mW
  • Допустимое отклонение напряжения -
  • Температурный коэффициент напряжения - 3.5 mV/K to 0.2 mV/K
  • Зенеровский ток 3 uA
  • Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 80 Ohms
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Конфигурация Single
  • Ток испытаний -
  • Квалификация AEC-Q101
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
  • Серия BZX84C4V7E
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться