ZXTP01500BGTC - Diodes Incorporated
Поставка электронных компонентов
ZXTP01500BGTC
Diodes Incorporated
Технические характеристики
  • Технология Si
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-223-3
  • Полярность транзистора PNP
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 500 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) - 500 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 7 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 500 mV
  • Максимальный постоянный ток коллектора - 500 mA
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 60 MHz
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия ZXTP01500B