PBSS5630PA,115
Nexperia
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология SMD/SMT
- Вид монтажа DFN-2020-3
- Упаковка / блок PNP
- Полярность транзистора Single
- Конфигурация - 30 V
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 30 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) - 7 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) -
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 7 A
- Максимальный постоянный ток коллектора 2.1 W
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 80 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -