MMBT4126LT3G - ON Semiconductor
Поставка электронных компонентов
MMBT4126LT3G
ON Semiconductor
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-23-3
  • Полярность транзистора PNP
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 25 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) - 25 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 0.4 V
  • Максимальный постоянный ток коллектора 0.2 A
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 250 MHz
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия MMBT4126LT1
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться