FJI5603DTU - ON Semiconductor / Fairchild
Поставка электронных компонентов
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок I2PAK-3
  • Полярность транзистора NPN
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 800 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 1.6 kV
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 12 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.2 V
  • Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 5 MHz
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия FJI5603D
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться