2N1486
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология Si
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-8-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 55 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 12 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 750 mV
- Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания -
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Серия -