ECH8102-TL-H - ON Semiconductor
Поставка электронных компонентов
ECH8102-TL-H
ON Semiconductor
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок ECH-8
  • Полярность транзистора PNP
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 30 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) - 30 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 6 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 80 mV
  • Максимальный постоянный ток коллектора - 24 A
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 140 MHz
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия ECH8102
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться