BSS4130AHZGT116 - ROHM Semiconductor
Поставка электронных компонентов
BSS4130AHZGT116
ROHM Semiconductor
Технические характеристики
  • Технология SMD/SMT
  • Вид монтажа SOT-23-3
  • Упаковка / блок NPN
  • Полярность транзистора Single
  • Конфигурация 30 V
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 6 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 90 mV
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 A
  • Максимальный постоянный ток коллектора 200 mW
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 400 MHz
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия -
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться