HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba
)
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-25-5
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 100 mA
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия HN4C51