ZXTP2013ZTA - Diodes Incorporated
Поставка электронных компонентов
ZXTP2013ZTA
Diodes Incorporated
Технические характеристики
  • Технология -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-89-3
  • Полярность транзистора PNP
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 100 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) - 140 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 240 mV
  • Максимальный постоянный ток коллектора 3.5 A
  • Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 125 MHz
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия ZXTP201