ZX5T851ASTZ
Diodes Incorporated
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок E-Line-3
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 150 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальный постоянный ток коллектора 4.5 A
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 130 MHz
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия ZX5T851