VT6X1T2R
ROHM Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Технология -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок VMT-6
- Полярность транзистора NPN
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 20 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 20 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.12 V
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 400 MHz
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия VT6X1