BSP52T1G - ON Semiconductor
Поставка электронных компонентов
BSP52T1G
ON Semiconductor
Технические характеристики
  • Конфигурация Single
  • Полярность транзистора NPN
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 90 V
  • Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
  • Максимальный ток отсечки коллектора -
  • Pd - рассеивание мощности 800 mW
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-223-4
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия BSP52
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel