APTGT300SK60G
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.4 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 430 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 500 nA
- Pd - рассеивание мощности 1.15 kW
- Упаковка / блок SP6
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube