BSM35GD120DN2E3224
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Hex
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 150 nA
- Pd - рассеивание мощности 280 W
- Упаковка / блок EconoPACK 2
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray