FP50R12KT4G
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация 3-Phase
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.25 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
- Pd - рассеивание мощности 280 W
- Упаковка / блок Econo 3
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray