APTGT600U170D4G
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1.1 kA
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 2.9 kW
- Упаковка / блок D4-5
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk