A1P50S65M2
STMicroelectronics
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация 6-Pack
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.3 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 500 nA
- Pd - рассеивание мощности 208 W
- Упаковка / блок ACEPACK-1
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка -