FF450R17ME3 - Infineon Technologies
Поставка электронных компонентов
FF450R17ME3
Infineon Technologies
Технические характеристики
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация Dual
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 605 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Упаковка / блок Econo D
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 125 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Tray