APTGTQ100DDA65T3G
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 240 nA
- Pd - рассеивание мощности 250 W
- Упаковка / блок SP3F
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube