MIXA300PF1200TSF
IXYS
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация IGBT-Inverter
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 465 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 0.3 mA
- Pd - рассеивание мощности 1.5 kW
- Упаковка / блок -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk