APTGL120TDU120TPG
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Triple Dual Common Source
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 140 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
- Pd - рассеивание мощности 517 W
- Упаковка / блок SP6
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube