VS-ETF075Y60U
Vishay Semiconductors
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 109 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA, 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 294 W
- Упаковка / блок -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка -