STGIPQ5C60T-HZS
STMicroelectronics
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
- Конфигурация Half Bridge
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.15 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 5 A
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности 13.6 W
- Упаковка / блок N2DIP-26L
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка -