FS150R17PE4
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
- Pd - рассеивание мощности 835 W
- Упаковка / блок EconoPACK
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray