VS-GB75YF120N
Vishay Semiconductors
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Quad
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности -
- Упаковка / блок ECONO2 4PAK
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk