FP10R06KL4
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Hex
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 16 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 55 W
- Упаковка / блок EasyPIM2
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray