IXGN50N120C3H1 - IXYS
Поставка электронных компонентов
IXGN50N120C3H1
IXYS
Технические характеристики
  • Продукт -
  • Конфигурация -
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 95 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
  • Pd - рассеивание мощности 460 W
  • Упаковка / блок SOT-227 B-4
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube