NXH160T120L2Q2F2SG
ON Semiconductor
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Split-T
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V, 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.47 V, 2.15 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A, 160 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 300 nA, 500 nA
- Pd - рассеивание мощности 500 W
- Упаковка / блок Q2PACK
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray