STGIF10CH60TS-E
STMicroelectronics
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация 3-Phase Inverter
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 15 A
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности 33 W
- Упаковка / блок SDIP2F-26
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Квалификация -
- Упаковка -