BSM100GD120DN2
Infineon Technologies
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Hex
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 680 W
- Упаковка / блок EconoPACK 3A
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray