APTGFQ25H120T2G
Microchip / Microsemi
НУЖЕН АНАЛОГ?
Технические характеристики
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Quad
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 150 nA
- Pd - рассеивание мощности 227 W
- Упаковка / блок SP2
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Квалификация -
- Упаковка -